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中企公布EUV光刻机发明专利,难怪ASML着急出货
专利代理 发布时间:2022-12-07 16:55:22 浏览: 次
在光刻机领域,ASML一家独大,依托自主研发的先进的EUV光刻机,ASML也在整个光刻机市场赚得盆满钵满;因为EUV光刻机是生产7nm工艺以下芯片的必备设备,所以很多芯片都争相购买EUV光刻机。在老美的限制下,中国就算有钱也买不到。
多年来,在美洲等国的帮助下,ASML还成功拿下了核心技术光刻机,获得了光源设备、真空室、光刻胶材料、光学镜头等核心部件的供应。ASML实际承担组装EUV光刻机的工作,很多零部件都是从国外进口的;要知道,光刻机中的每一个部件都可能涉及到核心技术 专利,所以其他厂商侵犯专利,很容易被起诉,所以我们不能完全复制EUV光刻机,我们要坚持自主研发自己的专利!
在EUV光刻机等核心技术领域,掌握技术 专利这个键非常重要。在这个关键时刻,中企川芯半导体公布了一款名为“曝光成像结构、反射式光掩模组和投影式光掩模光刻机”的光掩模光刻机专利 技术,这是除此之外,我们之前在光源、两件式工作台等核心技术领域的突破。
乐知网小编给大家分享一个专利申请:一种光刻机系统及光刻方法
摘要:
本发明涉及光刻机技术领域,具体涉及光刻机系统和光刻方法。
该光刻机系统包括能够发射至少两种能量束的光源模块;
能量束调节模块,用于调节能量束的波长和能量;
光学模块用于将能量光束共线聚焦形成贝塞尔光束;
四波混频发光模块用于提供四波混频蓝光,四波混频蓝光和贝塞尔光束可以共线聚焦形成短波能量光束;
运动模块包括样品台和智能机械手,样品台设置为位置可移动状态,智能机械手用于调整待刻蚀样品在样品台上的位置。通过该系统,可以无限缩小光刻光束的线宽,光束可以缩小到5nm、3nm、2nm甚至更低,从而提高光刻精度,降低功耗。
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关键词: 专利 发明专利