动力电池极耳专利检索技巧讲解，中企如何应对美国芯片法案的机遇与挑战

今天，乐知网律师 给大家分享： 动力电池极耳的专利检索技巧讲解，中企如何应对美国芯片法案带来的机遇与挑战讲解。

动力电池极耳的专利检索技巧讲解

4680电池通过把整个正/负极集流体变成极耳的全极耳设计（又称“无极耳设计”），提高圆柱电池整体倍率性能和安全性能。

这样的设计也使极耳在单极耳、双极耳和多极耳的基础上又多了一种类型。

无论是圆柱形锂电池、方形锂电池还是软包外壳锂电池，当中都有极耳的身影。

从上图中可以看出，针对极耳进行改进的专利公开趋势逐年稳步上升，即，研发人员一直在围绕极耳不断改进现有技术，包括对极耳及其性能、结构的改进，极耳胶配方及性能改进以及对极耳焊接环节的设备、工艺的改进等。

此外，随着我国储能计划的推进[2]，极耳的需求会更加旺盛。

可以预见的是，未来几年中，针对极耳的改进和专利布局依然是锂电池领域重要的工作方向之一。

？想要做好电池领域的专利检索，绕不开极耳这个基础部件。

极耳是将电芯中正负极引出来的金属导电体，由极耳金属带和极耳胶片组成。

它与电池壳体或外部模组结构件连接，使电流流经极耳，形成与电池外部的电连接。

即，极耳是电芯与电池外壳之间的桥梁，是电池充放电时的接触点。

不同类型的锂电池，极耳所在的位置和数量也不同。

极耳的位置会影响电池的内阻和倍率，通过合适设置极耳的位置可以降低电池的内阻，并抑制电池大倍率放电时的温升。

极耳数量的增减也能决定电池的内阻。

首先，不管哪种类型的锂电池，极耳都设置在电池层中。

常规圆柱形锂电池的电池层主要包括正极片、负极片和隔膜，极耳分别焊接在正、负极片的两端，与正极片连接的极耳是正极极耳，与负极片连接的极耳是负极极耳，通过卷绕工艺将带正负极耳的电池层卷绕成一个“瑞士卷”后，塞入不锈钢壳体中封装后，再注入电解液等，就能得到一枚圆柱形锂电池。

在单极耳的圆柱形锂电池结构中，负极耳与圆柱形锂电池的不锈钢壳体底部进行焊接，正极耳与电池顶盖进行焊接。

而在以4680电池为例的全极耳圆柱形锂电池中，由于其对于极耳的改进在于把电池的整个集流体都变成极耳，导电路径不再依赖极耳，电流通过集流体纵向传输，因此，全极耳与集流盘焊接。

这种极耳方案的好处是不需要对未涂布集流体模切处理，通过焊接把正或负极留白处与极耳焊接，组装焊接工艺更简单，但难点在于对焊接技术要求较高。

在全极耳方案出来之前，动力圆柱电池的主流是多极耳方案。

方形锂电池通常由卷绕工艺或叠片工艺制成。

方形锂电池的卷绕工艺与前述圆柱形锂电池卷绕工艺相同，区别主要在方形锂电池所用的卷针与圆柱形锂电池的不同，使用固定的圆形或扁平卷针，将带有极耳的正极极片、负极极片和隔膜按照顺序卷绕挤压成圆柱形或方形，再放进方形壳或圆柱形金属外壳中，可以制得圆柱形或方形锂电池。

由于多极耳的极耳更多、分布均匀，使电池倍率性能更好，充放电温升更小，因此，叠片电芯目前以多极耳为主，不过由于多极耳焊接要求和精度要求都很高，增加了电池的成本。

叠片工艺则是将正负极片裁成需要的尺寸大小，随后将带有极耳的正极片、隔膜和带有极耳的负极片叠合成小电芯单体，然后将小电芯单体叠放并联成电池模组。

目前，叠片结构的电池快充性能是各种结构中最高的。

软包外壳锂电池的电池层工艺和方形锂电池相似，区别主要在于方形锂电池的壳体一般为钢壳或者铝壳，而软包外壳锂电池壳体主要是铝箔膜。

在方形锂电池中，正极极耳和负极极耳都与铝壳焊接。

软包外壳锂电池在极耳上的布置与方形锂电池相似。

相比多极耳卷绕，叠片电池每层都会引出一个极耳，叠片电池的快充性能更优。

在专利中，极耳的检索难点在于高水平的专利代理师往往并不会直接称之为极耳，而是会结合其结构特征和所起到的技术效果重新命名，导致在检索过程中，由于检索人员没能充分扩展关键词，而漏检或错误理解一部分专利。

下面笔者通过几件代表专利来展示专利领域的极耳常见别称。

在一些专利中，极耳还被命名为电极接片、引出端、扶引线、引出电极、导引线、导柄等。

在检索人员熟知极耳技术的情况下，以上极耳的别称还是容易去拓展的，然而，还需要关注一些特殊的情况，比如，集流体泛指极耳的情形，在FTO中可能会造成漏检。

集流体在锂离子电池上主要指的是金属箔，也就是正负极片，而当集流体的末端留白未涂覆正／负极材料且突出于正负极片，该处集流体部分本质便是极耳，因此，集流体也可以泛指极耳。

按照这个思路，是否可以从材料、功效的角度继续扩展极耳，如扩展成“导电金属”、“电极连接片”、“中间连接件”、“导电片”等呢？从逻辑上来说，极耳确实有可能被扩展成“导电金属”、“连接片”等，但若全部作为关键词进行检索，就算结合其他目标技术特征和分类号进行组合检索，也会面临阅读量大到难以全部阅读的情况。

主要原因有二，一是电池领域的专利总量高，难以通过主流的分类号区分电池的结构件。

这里以FTO检索为例，首先，在检索中，查全率是保证识别侵权风险的重要基础之一，为了提高并保证查全率，我们需要对分类号、关键词进行多轮、组合检索，但电池领域的专利量非常大，光分类号H01M（用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组）下面就高达123万个专利族，即使用关键词加分类号进行了限制，在电池领域的FTO检索阅读文献量也依然动辄高达上万件。

第二，在电池领域中，“导电金属”、“连接片”等这类词会出现在电池的多个部件、多个工艺中。

以“连接片”为例，“连接片”可以是一个单独的部件，其存在于极耳和极柱的中间，一端连接极耳，另一端连接极柱，而极柱有时又被称为导电端子。

此外，由于连接片不仅能用于导电连接和增强过流能力，并且当电池的过流电流过大时，连接片也会以断开的方式切断电流，从而避免电池发生过充而存在安全隐患，因此，连接片还常常被命名为转接片。

更为复杂的是，在多个电芯组成电池时，连接片还被用于串联、并联电芯单体，这时的连接片和前述的连接片就不同了。

图6为串联、并联电芯单体的连接片示意图，其中8是连接片。

由此可见，在电池领域对技术点进行词汇扩展非常考验检索人员对背景技术的熟悉度。

因此，如何结合项目实际情况适当扩展并进行取舍是考验专利代理师的一项重要任务，笔者认为，为了保质保量的完成检索任务，而不得不阅读海量专利的情况下，提高阅读速度是一个不错的突破方向。

三个在阅读专利时快速分辨极耳噪音的小策略，这个策略在很多类似的结构件上都可以参考：

第一、可以优先看图，极耳突出于极片的特征往往较为明显，即使是集流体类的，也能够明显看出一段不同于极片的结构。

但要注意，不可以光看图，因为有些部件即使在该专利中扮演着重要角色，也有可能没有出现在附图中。

在充分理解极耳现有技术的套路下，通过图片快速判断是否为目标极耳或目标产品，再结合文字找到目标技术特征。

第二、阅读文字时，可以优先扫一眼其同族专利的英文文本或数据库自带的英文译文，类似于极耳的部件，可能中文名称五花八门，但英文用词却返璞归真。

这类译文在一些专利数据库中是自带的，而类似于 这种数据库，则需要手动调整设置翻译，从而得到英文译文，但也仅需设置一次，并不复杂。

最后，若相关专利没有附图或若通过图依然无法辨认结构是否为极耳，并且设置译文也觉得不方便的话，可以在设置关键词高亮的情况下阅读说明书找到线索，因为专利在说明书中总归要针对权利要求中的概括词进行解释，并且鉴于高亮的存在，即使是很长的说明书文本，读起来也不会特别吃力。

中企如何应对美国芯片法案带来的机遇与挑战讲解

美国《2022年芯片与科学法案》（CHIPS and Science Act of 2022）被业内人士称为美国落实对华“精准脱钩新举措”的关键性一步，作为其中重要组成部分的《2022年芯片法案》（Chips Act of 2022）尤为受到芯片与半导体研发制造领域的关注，同时也引发了供应链和投资界的不安。

本文将从所谓“中国护栏”条款的分析入手，重点阐释在战略层面与其保持高度一致的出口管制最新动向与未来走势，为企业就如何开展风险分析与制定应对策略，提出具体的分析要点和思路等相关实务建议。

自20世纪70年代以来，美国半导体的产业政策逐渐被轻资产的“科学政策”战略所取代，大型企业和轻资产创新企业取代了由小型和大型生产企业组成的强大生态系统。

20世纪90年代以后，美国本土的半导体企业进一步着重发展轻资产、高附加值、高科技含量的芯片研发设计，芯片生产和制造主要由位于东南亚国家的代工厂进行。

上述分工模式使美国得以在保持技术领先的同时最大限度降低了成本，但同时也使美国的芯片供应受制于全球半导体产业链，使得美国的芯片供应链存在一定的脆弱性。

尤其是近年来在全球疫情、复杂多变的国际形势以及地缘政治压力等多重原因的作用下，全球芯片供应出现不足，导致美国汽车制造等行业出现了缺芯停产的情况。

《2022年芯片与科学法案》的正式通过，旨在重塑全球半导体产业链，提升美国本土的芯片生产制造能力与先端前沿半导体的研发能力。

究其目的，一方面是为了保护美国半导体供应链的安全，另一方面，是为了实现保持美国在半导体领域的绝对优势地位、全面限制中国等相关国家半导体行业发展战略的目标。

该法案主要是扶持掌握先进制程的芯片生产技术和能力的企业在美国建立产线、扩大产能，其直接影响主要是通过发放补贴影响美国本土以及海外掌握先进制程的半导体生产制造企业的投资决策，迫使上述企业在中美半导体领域“选边站”，同时实现提升美国本土芯片生产能力和限制中国发展和扩大先进制程芯片生产制造能力的目的；除此之外，通过执行《2022年芯片与科学法案》，美国将加深与日本、韩国等国家和地区半导体巨头企业的强强联合，保持和扩大美国在半导体领域的技术优势，并加强美国在半导体领域的标准制定方面的话语权。

2022年6月，随着美国芯片制造产能在全球占比的不断下降，行业战略危机的迫近促使美国参议院提出《为美国生产半导体创造有益的激励措施法案》（Creating Helpful Incentives to Produce Semiconductors for America Act）[2]，该法案规定了支持美国半导体制造、研发和供应链安全的投资和激励措施，并于2022年1月被纳入《2022财年国防授权法案》（National Defense Authorization Act for Fiscal Year 2022），然而由于当时立法者未能成功为芯片法案争取到所需资金，该法案最终未能落实。

2022年4月，美国民主党参议员查尔斯·舒默提交了新版《无尽前沿法案》（Endless Frontier Act），将芯片法案纳入其中，要求未来5年内投入千亿级规模的美元资金从总体上增强美国科技，关注包括半导体在内的十大关键技术领域，该法案随后更名为《2022年美国创新与竞争法案》（United States Innovation and Competition Act of 2022）[3]并于当年6月在参议院通过。

《2022年芯片与科学法案》脱胎于《2022年美国竞争法案》。

此前，美国参议院通过的《2022年美国创新与竞争法案》和众议院通过的《2022年美国竞争法案》差异较大，美国国会内部分歧严重导致法案谈判一度陷入僵局。

在此背景下，美国参众两院经谈判对法案进行了“精准瘦身”，达成了双方均能接受的折中版本，最终将其命名为《2022年芯片与科学法案》。

《2022年芯片与科学法案》由三部分组成，包括A 部分《2022年芯片法案》（Chips Act Of 2022），B部分《研发、竞争与创新法案》（Research and Development，Competition， and Innovation Act）以及C部分《2022年最高法院安全资金法案》（Supreme Court Security Funding Act of 2022），旨在振兴美国国内半导体制造业以及对科学领域进行投资以确保美国的领先地位，减少美国对外国半导体来源的依赖，加强美国国家安全。

法案签署当日，美国《将降低成本、创造就业、增强供应链并对抗中国》的情况说明书，称该法案的历史性投资将使美国工人、社区和企业能够在 21 世纪的竞赛中获胜。

该法案将加强美国的制造业、供应链和国家安全，并投资于研发、科学技术和未来的劳动力，以保持美国在未来产业的领导地位，包括纳米技术、清洁能源、量子技术计算和人工智能。

《2022年芯片与科学法案》授权在未来5年为美国半导体制造业提供约527亿美元的政府补贴，并提供25%的投资税收抵免，同时明确要求获得美国资助的半导体企业，自受援之日起10年内禁止在中国大陆进行先进制程半导体制造业务的实质性扩建。

此外，该法案还包括在5年内拨款1699亿美元，授权美国国家科学基金会、美国商务部等增加对关键领域科技研发的投资，促进美国的科学研究工作。

（1）拨款527亿美元促进半导体制造 （2）拨款15亿美元助力无线技术发展 《2022年芯片法案》为公共无线供应链创新基金（Public Wireless Supply Chain Innovation Fund）拨款15亿美元，用以刺激无线技术向开放架构、以软件为基础发展，并资助美国移动宽带市场中创新、飞跃式的技术。

（3）禁止受益企业扩大在华制造业务 为了确保促进美国的技术领先地位和供应链安全，《2022年芯片法案》第103(b)(5)条要求受资助企业（根据《2022年芯片法案》第103(b)(5)条的定义，不限于受资助企业自身，还包括其关联团体的所有成员）签署相关协议，禁止其自接受资助之日起十年内在中国或其他“受关注外国（foreign country of concern）”（根据《2022年芯片法案》第103(a)(4)条，“受关注外国”包括朝鲜、中国、俄罗斯、伊朗以及其他被认定从事有损于美国国家安全或外交政策的行为的任何国家）对先进制程半导体的研发制造进行实质性扩张，确保半导体制造商将其下一轮投资集中在美国及其盟国。

美国商务部长、国防部长以及国家情报局局长将协商确定相关技术门槛以及对国家安全至关重要的半导体类型。

（4）设立半导体制造业投资税收抵免 除上述措施外，《2022年芯片法案》第107条为半导体制造业的投资设立了25%的投资税收抵免，并激励半导体制造以及半导体制造过程中所需要的专业工具设备的制造。

但是，相关税收抵免不适用于“受关注外国公司”（foreign entity of concern），如果享受税收抵免的公司在此后10年内在中国或其他“受关注外国”开展与扩大先进制程半导体制造业务相关的实质性重大交易，则需退还所有税收抵免。

（1）拨款1699亿美元促进研发创新 为了扭转美国研发支出占比下降并落后于其他先进经济体的趋势，《研发、竞争与创新法案》授权为期5年的历史性公共研发投资，以增强研究创新及有效转化能力。

具体而言，该法案授权在研发和创新领域的总投资额为1699亿美元，主要项目包括：

除大幅增加研究资金外，该法案还将在全国范围内建立新的技术中心，提高代表性不足人口及地区的创新参与度，并打击外国非法吸收或窃取美国研究产品的行为，以恢复美国实力并降低先进制造业、下一代通信、计算机硬件和药品等关键领域的长期供应链脆弱性。

（2）针对中国的相关条款和举措梳理 值得注意的是，除上述巨额拨款外，该法案下表条款中专门针对中国作出了禁止性或限制性规定或提出相关要求，未来中国企业在参与美国制造计划、获取美国基金资助以及引进外部人才等方面均可能会受到不同程度的影响。

近年来受新冠疫情影响，半导体行业供应链和物流链受到巨大冲击，导致全球缺芯困局愈演愈烈，如何实现半导体行业的自主可控和供应链弹性成为大国竞争的焦点。

美国试图通过《2022年芯片与科学法案》补贴扶持本土芯片产业制造，引导高端芯片制造业和技术回流美国，通过扩大公共投资加强芯片技术研发和创新能力，并限制先进工艺流向中国及其他受到关注国家，以便抢占未来全球芯片产业链赛道的领先位置。

（1）对全球半导体行业影响 对于半导体行业而言，该法案的出台短期内会扰乱市场预期，增加全球半导体行业的不确定性，冲击全球芯片产业链供应链稳定性，长期则会加剧半导体供应链体系的割裂程度，为实现“美国优先”之目的牺牲全球的创新发展利益。

对于企业而言，该法案也会严重扰乱半导体行业跨国企业的全球业务布局，提高企业生产经营的成本和风险。

（2）对中国半导体行业影响 由于该法案部分条款限制受益芯片企业在华开展正常经贸与投资活动，迫使相关企业在中美之间选边站队，此外美国还会继续扩大并借助 “芯片四方联盟（Chip 4）”挤压中国半导体行业的生存和发展空间。

在此背景下，中国半导体行业将面临更加严峻的外部形势，未来国产半导体从外部获取资金、先进设备、技术和材料等会受到更加严格的限制，“卡脖子”攻坚进程或将受到不利影响。

美国为实现限制中国半导体行业发展的目的，自2022年以来就开始频繁使用出口管制及外国投资国家安全审查等政策性工具，对中国企业施加限制。

在《2022年芯片与科学法案》的审议过程中，美国也不断向外界释放将通过出口管制限制中国获取芯片生产设备的信号：

1）自2022年起，美国商务部对于涉半导体领域的许可证审核政策逐步趋严，并强化了对于中国半导体领域的重要企业的调查和执法，主要集中于违反实体清单限制向受限企业供货，以及为违规交易提供协助等方面。

同时，美国多名议员也在敦促商务部加强对于中国半导体企业的出口管制及执法力度。

2）美国当地时间2022年7月6日，据彭博社报道称，美国正在推动荷兰禁止某知名芯片光刻设备制造商向中国出售对制造全球大部分芯片至关重要的主流技术。

据悉，美国官员正在游说荷兰同行禁止相关企业向中国出售其老一代深紫外光刻或（DUV）。

[7]自2022年底，由于美国的压力该企业已停止向中国企业销售较为先进的极紫外光刻机（EUV）。

3）美国当地时间2022年7月31日，据彭博社报道，美国政府致半导体函设备制造商，要求不要向中国公司提供14纳米以及更先进的半导体制造设备。

相关企业证实已收到美国政府关于对中国半导体设备的新的限制的通知。

此前，美国已禁止未经许可向中国半导体制造企业提供可用于制造10纳米及以下芯片的多数设备。

4）美国当地时间2022年8月1日，据外媒报道，美国正在考虑限制向中国存储芯片制造商、以及外国存储芯片制造企业在中国工厂提供美国半导体制造设备。

据消息人士透露，美国政府正在考虑禁止向中国出口用于制造128层以上NAND芯片的半导体设备。

在本次被纳入出口管制的4项物项中，氧化稼、金刚石以及开发GAAFET结构集成电路的ECDA软件3项与半导体行业关系密切：

1）氧化稼（Ga2O3）和金刚石：相比于使用氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的半导体，氧化稼（Ga2O3）和金刚石可被用于开发制造更复杂的器件。

使用氧化镓和金刚石的半导体可以在更严苛的条件下（例如在更高的电压或更高的温度下）工作，使用这些材料的设备具有显著增加的军事潜力。

2）ECAD是一类软件工具，用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板的性能。

ECAD软件可以被军事和航空航天国防工业用于设计复杂集成电路的各种应用。

GAAFET技术方法是扩展到3纳米和3纳米以下技术节点的关键。

GAAFET技术使更快、更节能和更耐辐射的集成电路运用于商业和军事应用，包括国防和 通信卫星。

首先，主流观点普遍认为《2022年芯片与科学法案》对于中国半导体的研发、生产、制造和投资领域的影响是巨大且深远的，值得我们高度重视。

主要理由有以下两个方面：

（1）美国意图夺回芯片行业绝对主导权，同时形成对华合围之势 正如前文所述，美国除了通过高额资金补助和税收抵免政策将芯片产业链虹吸到美国的同时，还通过设定所谓“中国护栏条款”迫使半导体国际企业“选边站”，以及加强对华出口管制以及严控对美高科技投资，组建所谓“芯片四方联盟”、“美国-欧盟贸易和技术委员会”等多边机制，全面限制和阻止中国既有成熟制程芯片的制造规模、以及自身针对先进制程芯片的研发制造能力。

（2）迫使半导体国际企业改变布局，降低对华供应链依存度 因为中国在半导体领域所蕴含的巨大市场潜力，引得众多国际知名半导体企业纷纷在华投资建设晶圆厂以及芯片封装和测试工厂，同时也有海外厂商对华出口芯片制造设备。

但是随着《2022年芯片与科学法案》的落地，将迫使接受美国政府资金补助的该等半导体国际企业改变针对中国的布局设计，将原有的研发制造及供应链重要环节调整为芯片成品销售终端市场。

（3）《2022年芯片与科学法案》忽视了全球芯片产业链整体转移的难度 在当前高度复杂与深度依存的全球经济生态圈中，包括所谓“芯片四方联盟”以及中国等主要国家之间的半导体研发制造企业之间早已处于深度融合与利益绑定状态，且半导体全产业链整体迁移需要技术、人才、劳动力、物流、能源等诸多必备因素支撑，不但需要巨额资金的投入，还需要相当长的过渡周期，仅靠法案投入的数百亿美元很难在短期内完成所谓芯片产业链的对华“脱钩”。

（4）中国作为全球芯片主要消费市场，迎来了绝好自主研发转机 半导体的发展程度是衡量一个国家科技发展水平的核心指标之一，被大多数国家高度重视和作为鼓励发展的重点行业。

据中国海关统计，2022年上半年，我国集成电路进口总额超过1.35万亿元人民币，已经超过原油进口总额。

[13]此外，我国为推动半导体产业快速发展，增强产业创新能力和国际竞争力，自2022年起至今陆续推出了一系列支持半导体产业发展的政策，相信受到本次《2022年芯片与科学法案》的影响，国家会进一步加大半导体产业扶植力度。

临港知识产权保护与创新讲解

现阶段国内有关专利、商标、知识产权保护等领域的相关标准与更高水平的自由贸易协定——CPTPP相比还存在许多差距。

因此，为保护知识产权产业革新，服务企业创新发展，顺利推进加入CPTPP进程，知识产权领域法规的进一步更新与发展势在必行。

世界各国都为顺利加入CPTPP做出了许多努力，其 些做法值得借鉴与思考。

英国是第一个成功加入CPTPP的欧洲国家。

作为首个非创始申请国，英国为加入CPTPPP做出了许多艰辛的努力。

就国内自身法律而言，英国知识产权法律法规已基本符合协议的高标准要求，为加入CPTPP奠定了准入基础。

与此同时，英国积极与协议成员国达成单独的外交协议，促进了加入CPTPP的进程。

同时，英国承诺将延续协议的高标准规则，全方位服务协议贸易规定。

就英国顺利加入，CPTPP委员会也曾提出意欲加入CPTPP的经济体皆需通过严格的程序。

符合协议要求是加入CPTPP的必然选择，因此，我国加入CPTPP也必须从对标协议着手。

同样作为亚太国家之一的越南，为深化国际贸易交流，也曾申请加入CPTPP。

面对高水平CPTPP协定要求，越南先后在2022、2022年两次修改法律，加快知识产权领域立法进程，力争对标贸易协定，致力于加入CPTPP。

修改后的越南知识产权法涉及专利、商标、著作权、植物新品种、农用化学品数据保护、法律执行等多个领域，已满足CPTPP标准要求。

越南在顺利加入CPTPP协议之后，极大程度上改善了对外贸易环境，2023年越南对亚太市场的出口总额达约1000亿美元，取得贸易顺差。

我国要想深化对外开放，促进国际贸易交流，加入CPTPP势在必行。

而面对法规与协议之间的差距，加大保护力度，平衡知识产权保护与传播关系，更新法律法规势在必行。

对标高标准要求，我国已对CPTPP全部条款深度解析，为后续法律法规修订打好基础。

为对接国际高标准经贸规则，2023年12月7日发布了《全面对接国际高标准经贸规则推进中国（上海）自由贸易试验区高水平制度型开放总体方案（国家）》（下文简称《总体方案》，在有条件的地区试点先行。

在明确发展要求之后，吸收其他国家经验，我国发布《总体方案》，指明了深化国际贸易交流、持续开展高水平对外开放的改革目标。

《总体方案》共80条，其中第五章“重点加强知识产权保护”（第39条至第46条）对知识产权领域做出了关键部署。

对比《总体方案》和CPTPP协议内容可以发现，《总体方案》中许多内容已经基本达到了CPTPP协议的要求。

下文将对这部分条文进行简要分析：

（1）商标与地理杂志方面，CPTPP协议中明确规定通过注册商标专有权保护地理标志。

《总体方案》的第40条至第41条明确了对地理标志的保护方式，加大保护力度。

但目前我国在相关法律法规中有关注册商标专用权与地理标志保护之间的冲突解决规则仍不完善，尚无保护地理标志的专门法律。

而作为对地理标志保护进行专项立法的前置程序，对于《地理标志产品保护规定》的修订也已完成，并于2023年12月29日公布，为法律实践提供指导[9]。

商标规则的明确也彰显了我国对知识产权的重视，为加入国际经济贸易做好准备。

通过两相对比，不难发现《总体方案》正是对照CPTPP协议内容进行方向调整，以满足国际贸易要求。

（2）专利方面，CPTPP协议规定“自最早的优先权申请日起计算18个月期满后迅速公布尚未公布的未决专利申请”，《总体方案》则强调“专利行政部门对发明专利申请满18个月未作出审查决定的，应当公布专利申请信息……”。

我国现有《专利法》规定，发明专利经初审合格后满18个月需公布。

通过对比不难发现《总体方案》删去了公布专利必须要通过初审的前提要求，降低了公布专利的障碍。

这一方面有利于在未完成审查前率先对专利进行权利保护。

另一方面也有利于运用公众监督提高对专利创新性的审查效率。

（3）行政监督与司法保护方面，CPTPP在边境知识产权保护、刑事处罚程序以及商业秘密保护等领域都制定了严格的规定。

为对标CPTPP，《总体方案》也加大了对知识产权的保护力度，严厉打击违法行为。

其中重点提到“加大行政执法监管力度和对权利人的司法保护力度”，“进一步完善商业秘密保护制度”等内容。

其虽然加强了行政执法监督力度，但是并没有太多涉及刑事领域。

对于严重的犯罪行为，更多通过“帮助信息网络犯罪活动罪”予以规制。

《总体方案》强调，含临港在内的上海自由贸易试验区要先试先行，发挥上海中心的带头作用，全面加大对外开放水平与力度。

2024年1月22日中办国办印发《浦东新区综合改革试点实施方案（2023－2027年）》（下文简称《实施方案》）就是在浦东新区已经取得的政策优势与改革经验基础上做出的另一重要部署。

《实施方案》强调，浦东新区要健全高水平的知识产权保护和运用制度，为全国制度型开放探索经验。

浦东新区将支持对接国际高标准经贸规则，推进制度性开放，积极开展国际高标准经贸规则相关条款压力测试，探索与更高水平开放相适应的风险防范体系。

这也说明《总体方案》不仅肯定了临港“制度先行者”的角色，还为临港作为自贸区的高水平对外开放制度安排提供方向。

（1）目前，临港新片区作为上海浦东新区的自由贸易试验区中的一部分，已开展相关领域改革并取得积极进展。

这些创造性尝试与成果将为后续政策变革提供经验。

2023年10月临港新片区市场监督管理局发布《临港新片区企业商业秘密保护工作指南（1.0版）》，加强对商业秘密的保护力度。

商业秘密始终是企业核心竞争力的体现。

CPTPP协定中18.78条也强调可对泄露商业秘密的经济体施加刑事处罚。

虽然此条并不强制适用，但也足以彰显CPTPP对于保护商业秘密的重视。

而上海临港发布的工作指南正是对商业秘密建立合理保护机制的积极探索，保障企业创新活力，促进企业良性竞争健康发展。

（2）发布专利公允价值评价体系。

该体系是由临港新片区管委会委托临港知识产权交流促进中心，在国知局和资产评估协会出台的关于知识产权价值评价的指导文件基础上形成的。

正确衡量专利价值，有利于促进企业商事贸易，维护知识产权价值。

价值体系的落地与广泛应用是临港新片区知识产权保护网络建立的重要基点，通过建立该评价体系促进专利正常流通，为国际间贸易交流提供基础。

（3）临港新片区建成中国（上海）知识产权维权援助中心临港新片区分中心，打造一站式维权服务平台。

同时，临港正积极建立全市首个市场化运作的知识产权维权互助基金，进一步完善运营组织机构。

加大行政执法力度，鼓励维权也正是CPTPP核心要义之一。

该工作站与互助基金的设立也进一步降低了维权成本，严厉打击违法行为，有利于维护厂区内知识产权发展。

（4）国际贸易方面，启动国际知识产权服务港建设。

国际知识产权服务更是国际贸易的基础保障，该服务港的建成与启用，致力于推动知识产权金融创新并解决知识产权交易的程序问题，也进一步完善了我国国际贸易领域中知识产权的服务建设。

要想加入CPTPP，深化国际贸易交流，就必须持续开展对外开放，加大开放力度与水平。

临港作为自贸区的一部分在已有政策成效基础上进行改革更具有基础性优势。

未来临港片区也会持续对标高水平CPTPP协议，深化政策改革。

在国家对深化国际贸易的大力支持与上海对知识产权发展高度重视的双重作用下，为对标国际高标准经贸规则，2024年1月22日，临港新片区管理委员会以现有制度经验为依托，发布《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区支持知识产权高质量发展的若干政策》（下文简称《若干政策》），创新开展试点尝试。

在已有的成效基础上，临港新片区进一步加强对于知识产权产业的鼓励与扶持力度，对临港新片区内知识产权的高质量创新、实践应用、合法保护以及公共服务等领域做出创新性规定，鼓励临港片区知识产权创新发展。

（1）鼓励知识产权创新质量提升，对于获评奖项、国家重点扶持领域、通过国外授权等的知识产权给予经济支持。

其中，《若干政策》重点强调了对于集成电路、人工智能、生物医药等领域知识产权的支持与保护。

CPTPP协定中也曾对生物医药领域的相关研发规定做出明确说明，加强了对农用化学品未披露试验数据或其他数据的保护。

此举更是为后续继续对标CPTPP协定要求奠定基础。

（2）助力知识产权落地应用，鼓励数字赋能。

配合临港新片区发布的专利价值评价体系，量化专利价值，加快企业将专利转化为实际应用的进程。

应用是知识产权价值体现的基础。

通过应用转化进一步优化价值评价体系，促进知识产权领域国际经济贸易交流。

（3）加强知识产权保护力度。

对于国内知识产权维权成功的案例予以经济支持，鼓励知识产权纠纷先行调解，推进科学合规管理等都是临港片区在维护知识产权领域做出的创新举措。

通过基于经济奖励的形式鼓励企业自主对标对表《企业知识产权合规管理体系要求》、《创新管理——知识产权管理指南（ISO 56005） 》，推动企业知识产权领域合规化管理，自觉维护商业秘密。

加强保护力度，打击不法行为是CPTPP高标准的具体体现。

《若干政策》从维权角度出发，鼓励企业自主维权，降低受害者维权成本，无疑是对CPTPP高标准的回应。

（4）健全知识产权服务能级。

对于在临港落户的企业、组织等给予相应的服务配套支持，并鼓励其进行创新尝试，保障临港新片区的创新活力。

这也是在已有知识产权服务平台基础上进一步应用知识产权创新成果，营造良好营商氛围的重要举措。


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