我国LED专利部署进入快速发展期，我国近年对外发明专利申请分析（三）

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我国LED专利部署进入快速发展期

LED产业快速崛起 北京奥运会开幕式上，富有古典情韵的发光二级管（LED）大卷轴“惊艳全场”。

这个徐徐展开的LED显示屏长147米，宽22米，装有4.4万颗LED灯，是全球最大的地面全彩LED屏。

它不但节能、防水、防热，而且耐压——每平米可承受２吨的压力。

为处理其LED芯片数据流，后台有460多个双CPU４核刀片服务器参与数据处理。

这个LED大卷轴是我国——全球第一大计算机和LED制造国的工业杰作。

不过，这个卷轴的主角不是计算机，而是LED灯。

据预测，数年之后LED灯会超过计算机的销售额，成为另一个电子支柱产业。

这个过程，也是LED从目前的广告、太阳能、电器显示、景观照明等应用走向普通照明、汽车照明、信号照明的过程，其市场空间大得惊人。

例如，MP3、手机、电视等电子产品的LED显示面板市场蕴藏着上千亿美元的市场机会；在全球普通照明市场上，LED产品的发展空间则高达2500亿美元。

当然，全球照明目前仍以白炽灯为主。

但是，为了推广节能、环保的照明新技术，各国将陆续禁用白炽灯。

例如，欧盟、澳大利亚、美国将分别从2009年、2010年、2020年开始全面禁用白炽灯。

我国已经出台LED产品推广补贴、LED研究资助、全国四大LED产业基地建设等宏观政策，全面禁用白炽灯也正提上各地立法日程。

这就为LED技术的普及奠定了坚实的政策基础。

从目前的发展态势看，全球LED市场将在2010年前后加速扩张，成为主流的照明、显示技术之一。

在我国，LED的年产值也将在2010年后超过1500亿元。

LED爆发全球专利大战 随着LED产业的快速崛起，该行业已经爆发全球专利大战。

例如，日亚化学工业公司与丰田合成公司之间爆发了40件LED专利诉讼，双方各有输赢。

欧司朗曾在德国控告台湾今台电子侵犯LED专利。

日亚化学工业公司曾在日本控告台湾晶元光电侵犯专利。

飞利浦曾在美国联邦贸易委员会提起337诉讼，控告台湾晶元光电侵犯专利。

日亚化学工业公司曾在台湾起诉控告亿光公司侵害LED专利。

全球五大LED制造商——日亚化学工业公司、丰田合成公司、欧司朗公司、飞利浦公司、科锐公司等还曾在美国法院被控侵犯两项LED专利。

2008年2月20日，美国专利权人再次提起337诉讼，指控索尼、松下等全球30家企业侵犯其LED方法专利——用P型和N型掺杂制作PN结半导体器件的工艺过程及方法，并申请普遍排除令和禁止令。

这30家被告中包含11家中国企业。

侵权产品包括短波长LED、激光二极管以及包含这两种元件的下游产品，如便携式产品、仪表面板、广告板、信号器、HD-DVD影碟机、蓝光影碟机、存储器等各种相关电子产品。

从上述专利诉讼看，围绕基础专利爆发的纠纷已经不占多数。

因此，原始创新产生的专利已经不能独当一面。

制造企业，包括下游封装、组装企业围绕二次创新和集成创新部署的专利可望成为影响市场竞争格局的主要知识产权筹码。

我国LED专利技术高速发展 我国是全球LED产品的最大研发、制造基地，已经公布LED相关专利1万多篇，是全球LED专利文献最大来源国之一。

随着全球LED专利大战的升级，我国LED专利部署正进入快速增长期。

已经公开的专利文献主要分布在如下技术领域： 通用制造技术。

例如：200510117231.1号文献涉及一种LED的制造方法。

它把从LED芯片发出的光与从LED芯片发出并经荧光物质进行了波长转换的光进行加色混合，发出任意色调的光。

再如，200610004252.7号文献涉及一种白色LED及其制造方法。

它在蓝宝石基板的一个主面上形成有包含发光层的半导体层叠结构，并发出预定波长的光，经光取出膜、荧光体产生白光。

元件封装技术。

例如：200510133986.0号文献涉及一种LED封装框架和具有该框架的LED封装。

该框架包括LED芯片、导热构件、引线、电绝缘层等。

再如，200510133995。X号文献涉及一种具有设计成改善树脂流动的引线框结构的侧光LED封装。

此外，200510075355.8号文献涉及一种大功率LED封装。

其包括LED、LED倒装接合的硅底座、反射薄膜、电线、绝缘体、散热片、绝缘基片、金属线路等。

材料发明。

例如：200510095685.3号文献涉及一种白光LED用钇铝石榴石发光材料的合成方法。

该方法包括如下步骤：根据化学组分式计算配比，称取原料，并取助熔添加剂，均匀混料后，装入刚玉坩埚中放进氧化气氛炉中灼烧；对得到的物质进行破碎、过筛，用稀的硝酸溶液酸洗至中性，抽滤烘干粉体；粉体置于还原气氛中灼烧，最后过筛分级。

系统发明。

例如：200510112960.8号文献涉及一种LED型指示灯点灯装置及指示灯系统。

再如，200510118559.5号文献涉及一种LED光收集和均匀传输系统。

它包括具有粗糙内表面的锥形反射器，还包括用于将收集的光聚焦为近准直光束的透镜。

此外，200510122248.6号文献涉及一种串行总线连接的群组式LED景观灯控制系统。

控制和使用方法发明。

例如：200510023695.6号文献涉及一种调节控制LED灯光亮度的方法。

它利用LED灯发光响应速度快的特性，通过调节LED灯的工作电源主频在60Hz至180Hz范围内时控制LED灯工作电压的导通脉宽，实现对LED灯光亮度的控制。

再如，200510124707.4号文献涉及一种LED驱动电路与控制方法。

该电路包括功率开关和电流取样单元，以及电压比较单元，还包括输入电压取样单元、定时单元、逻辑单元等。

该方法包括：用输入电压调制功率开关的关断时间或预设固定关断时间；当输入电压下降时关断时间变长，当输入电压上升时关断时间变短。

芯片发明。

例如：200510112162.5号文献涉及一种LED倒装芯片的制作方法。

它在蓝宝石衬底上利用微粒子的自组装排列和激光照射方法制备高分子材料微米或亚微米级微凸透镜阵列层，通过使用ICP(耦合离子刻蚀)或RIE(反应离子刻蚀)设备，利用氯离子及氩离子对高分子材料微凸透镜阵列进行干法刻蚀，将蓝宝石基片上的高分子材料微凸透镜阵列转移到蓝宝石基片表面上，在蓝宝石基片上制备出微米或亚微米级微凸透镜。

再如，200510033752.9号文献涉及一种大功率LED与LED组合灯的芯片设计。

电路设计。

例如：200510038244。X号文献涉及一种LED灯具。

它通过在各条串联LED发光二极管的电路中接入定电压控制电路和定电流控制电路，使每颗LED上的电流都保持一个恒定的值，保证LED的寿命。

再如，200610023332.7号文献涉及一种具有自适应模式切换的并联LED驱动电路。

此外，200510113904.6号文献涉及一种改进的LED灯串连接电路。

机械结构设计。

例如：200510094747.9号文献涉及一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法。

再如，200510053047.5号文献涉及一种可拆式车辆用LED灯具的机械设计。

该LED灯包括灯罩、基底、LED光源单元等。

其中，LED光源单元的装饰板上设有插固座，LED光源单元的电路基板延设有数个电源端子，电源端子设有嵌合部及供LED灯泡插接的插孔，电源端子的嵌合部嵌插在装饰板的插固座上定位，电源端子供LED灯泡嵌插。

发光体设计。

例如：200510020493.6号文献涉及一种交流LED照明灯，包括交流输入端、交流LED灯丝，交流LED灯丝包括并联的至少两组导通方向相反的发光二极管阵列。

该交流LED灯丝还可以具有集成化结构。

再如，200510020492.1号文献涉及一种集成化交流型LED灯丝。

它包括并联的至少两列导通方向相反的串联集成管芯，串联集成管芯是在一个LED基片上以串联的方式集成的至少两级管芯，各级管芯是单颗管芯或是由多个单颗管芯经串联或并联或者串并联混合连接的方式构成。

LED外延片。

例如：200510035444。X号文献涉及一种GaN基LED外延片及其制备方法。

再如，200510072027.2号文献涉及一种半导体发光器件用外延片和半导体发光器件。

此外，200510026750.7号文献涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管结构外延片的方法。

外壳设计。

例如：200610003007.4号文献涉及一种LED外壳及其制造方法。

该外壳中，导热部分具有芯片安装区域、热连接区域、槽区域。

再如，200510040970.5号文献涉及一种LED轮廓灯及其制造方法。

该LED轮廓灯包括有安置在外壳内的多个发光二极管和绝缘板；发光二极管并排排布，每一个发光二极管管脚中段与相邻的发光二极管管脚的中段之间连接有筋条，一定数量的发光二极管通过筋条相互串接成一段灯串；灯串中各个管脚的下段插接固定在绝缘板上；载有灯串的绝缘板固定在外壳中。

通用照明灯发明。

例如：200610078913.0号文献涉及一种LED照明灯。

再如，200510033753.3号文献涉及一种LED管灯。

此外，200510034909。X号文献涉及一种LED平板照明灯。

它在超高亮度LED白光管中间，穿插焊接数颗其他发光光谱的LED，并从侧端面镶进其他光谱的LED，灯座底表面喷涂采光材料，对总体光色温作一定的调节。

200510033649.4号文献涉及一种LED夜间书写看书发光板。

200510034140.1号文献涉及一种个性化火车、轮船卧铺车（船）厢（仓）内LED柔光平板照明设备。

我国近年对外发明专利申请分析（三）

作为一种能够明显简化在多个国家申请专利的程序、降低申请成本的有效途径，PCT国际申请的运用情况集中体现了申请人在海外进行专利布局的意愿和能力。

虽然PCT申请量不能直接计入国家对外发明专利申请量，但是这些申请进入国家阶段后就会转化为真正意义上的对外发明专利申请，因而是表征未来对外发明专利申请趋势变化的一个重要因素。

比较研究表明，我国PCT申请发展状况主要有如下特点： 我国PCT申请量增速较快，但总量远少于美国、日本 随着PCT制度的不断改进，我国对PCT制度的了解也逐渐加深，认可度和利用度也逐渐提高，我国申请人正越来越多地通过PCT途径进行对外专利申请。

截至2007年底，我国已累计申请PCT国际申请1.9563万件。

我国1994年成为PCT缔约国，当年PCT申请量仅为103件，而到2007年，PCT申请量已达到5458件，占当年全球PCT申请总量的3.46％，世界排名第七。

从1996年～2007年各国PCT国际申请数量的年度变化来看，各国申请量均呈上升趋势。

其中，我国PCT国际申请量的增长最为迅速，年～2007年的年均增长率高达47.7%，而同期增长率较快的韩国为22.7%，美国和日本分别仅为6.1%和5.6%，德国、英国等EPC成员国也基本保持5%左右的增幅。

从2000年～2007年全球PCT申请总量来看，申请量排名前两位的是美国和日本，其申请量分别为35.7509万件和15.2824万件，分别占全球申请总量的36.0％和15.4％；我国排名第十，累计申请1.8443万件，约为美国申请量的1/20。

申请量排名前10位的国家中，除美、日、韩、中之外均为EPC成员国，其2000年～2007年累计PCT申请量总和占到全球PCT申请总量的28.8％，仅次于美国。

详细数据请参见图1。

我国PCT国际申请的申请人分布高度集中 我国PCT国际申请的申请人分布集中度较高，主要集中于华为技术有限公司、博德基因开发有限公司和中兴通讯股份有限公司三大公司。

华为技术有限公司的PCT国际申请量累计达到3124件，约占我国PCT申请总量的1/5。

2008年，其PCT年申请量已位居世界第一；中兴通讯股份有限公司的PCT国际申请量也较高，累计达到599件。

但是，排名前10的其他申请人，如清华大学、中国石油化工股份有限公司、复旦大学、香港大学、腾讯科技（深圳有限公司、比亚迪股份有限公司等，其PCT累计申请量均不足百件。

我国PCT国际申请的申请人分布高度集中的状况表明：首先，我国发明创新的能力和水平明显呈两极不对称分化的态势，极少数申请人已经具备较强的国际竞争能力，甚至已经开始在海外专利布局方面表现出过人的魄力和能力，同时绝大多数申请人走向全球的意识和能力还相对不足；其次，企业已经成为我国专利申请走向全球的“领头羊”和“排头兵”，在市场竞争的驱动下，企业势必将在未来占据更大的PCT申请比重。

但在目前，具有较强科研实力的高等院校还是我国PCT申请格局中相当重要的一极。

我国PCT国际申请相对集中于通信、医药、化工领域 从技术领域分布的角度来看，我国PCT国际申请分布的技术领域较为集中。

申请量居前五位的技术领域依次为：通信技术（H04；医学、兽医学、卫生学（A61；有机化学（C07；生物化学、酒、酶学、遗传工程（C12；计算、推算、计数（G06。

以上5个IPC大类PCT国际申请的累计申请量分别为5229件、3252件、1514件、847件、833件，其总和占全部PCT申请的78.6%。

上述数据反映出我国PCT国际申请主要集中在通信、医药、化工和生物等领域，因此为促进我国对外发明专利申请和PCT国际申请的增长，应重点从上述技术领域开展工作，为其提供必要的支持；同时也应谋求在更多技术领域实现突破，尤其是我国科技中长期发展规划中所涉及的重点领域。

从各国PCT申请分布最为集中的几个技术领域来看，我国与美、日等主要国家具有较高的领域重合度。

电通信技术（H04，医学或兽医学、卫生学（A61，基本电气元件（H01，有机化学（C07，计算、推算、计数（G06，生物化学、微生物学（C12等是中、美、日、韩PCT申请较集中的领域。

中国PCT申请量排名前3位的技术领域依次为H04、A61、C07，美国排名首位的技术领域是A61，日本排在首位的技术领域是H01。

从PCT申请涉及技术领域的数量来看，中国、印度和巴西的PCT国际申请领域数量较少，仅涉及不足30个IPC大类，而美国、日本和韩国则分布相对广泛，涉及40多个IPC大类。

这表明美国、日本等发达国家的整体创新能力较为均衡，在各主要领域均具有一定的全球竞争能力，而中国、印度、巴西等发展中国家的技术创新还主要集中在部分具有一定基础的技术领域，需要通过重点发展来带动整体创新能力的全面提升。

我国对外发明专利申请中PCT途径利用比例相对较低 各国对外发明专利申请在利用PCT途径申请的比例上存在明显的差异，来自欧美的申请人更倾向于利用PCT途径申请，而亚洲国家的申请人则习惯利用非PCT途径。

以为例，美国有71.4％的对外发明专利申请采用PCT途径；德国、法国、巴西利用PCT途径的比例也都在50％以上；而亚洲最高的印度也仅为43.7％；我国和日本在30％左右；而韩国仅为15.9％。

相对欧美国家而言，我国对外专利申请中PCT途径的利用率较低。

从我国申请人提出的PCT申请的目的国分布而言，主要申请目的国集中在欧洲专利局（EPO、美国专利商标局（USPTO、日本特许厅（JPO、韩国知识产权局（KIPO。

1995年～间，我国PCT申请进入国家阶段共涉及30余个国家（地区局，分布具有一定的广度。

但是，2004年～2006三年中，我国PCT申请在EPO、USPTO、JPO、KIPO四局的国家阶段量占同期我国PCT国家阶段总量的67％，在分布上表现出较强的集中性。

其中，我国23％的PCT申请国家阶段集中在EPO，其已成为我国PCT申请国家阶段的“第一目的局”，这主要与EPC作为地区性专利组织的特殊性、EPO国际检索质量高等因素有关。

分析我国对外发明专利申请的具体途径还可以看出，我国在USPTO、EPO、JPO、KIPO四局中PCT途径利用率存在明显差异。

其中，我国申请人向EPO、JPO和KIPO申请专利时，PCT利用率分别达到60.5%、56.2%和74.6%，而在USPTO的利用率仅为11.2%。

数据显示我国向美国提出的专利申请更倾向于采用非PCT途径。

究其原因，这一方面与我国申请人对美国的非PCT途径较为熟悉有关；另一方面也与美国使用先发明制有关，我国申请人为了防止竞争对手可能采取的不正当申请方式，特意采取了能较快进入美国国家阶段的非PCT途径。

我国PCT国际申请进入国家阶段数量明显少于美、欧、日 从我国PCT国际申请进入国家阶段的数量情况来看，主要体现为2个特点：一是我国PCT申请进入国家阶段的数量少；二是我国PCT申请进入“五局”国家阶段率和进入“五局”国家阶段平均数低。

我国PCT申请进入国家阶段数量少。

从PCT国际申请进入国家阶段总量来看，我国与美、欧、日存在很大差距。

通过对WIPO的PCT在线数据库检索发现，截至2008年5月10日，中、美、欧、日、韩五局受理的PCT申请进入其他四局国家阶段的累计数量分别为6498件、55.8315万件、19.5968万件、27.4349万件、2.915万件，比例为1：85.9：30.2：42.2：4.5。

研究显示，我国PCT申请进入国家阶段数量一直远低于当年的PCT申请量，而美国和日本分别在2000年和1998年左右出现了PCT申请进入国家阶段数量超过PCT国际申请量的情况。

在PCT制度利用初期，主要显示为PCT国际申请量的增加，进入国家阶段的申请较少，表现为PCT国际申请量一直高于PCT国家阶段数量；随着一国申请人对于PCT制度利用能力的增强，PCT申请进入国家阶段的数量逐渐上升，并超过PCT国际申请量，表明了该国申请人对PCT制度的利用逐渐成熟和完善。

从目前情况看，我国尚处于PCT制度利用初期，今后几年PCT申请进入国家阶段数量的增长将更为迅速。

有关数据请参见图2。

我国PCT国际申请进入“五局”国家阶段率和进入“五局”国家阶段平均数低。

PCT国际申请进入“五局”国家阶段率指的是某国进入美、欧、日、韩、中五局中任意一局的国家阶段的PCT申请数量除以该国PCT国际申请总量。

这里所研究的PCT申请的范围是申请日在2000年~年之间的全部PCT国际申请。

论专利侵权认定中的等同原则

【内容摘要】：等同原则是判断专利侵权的一个重要原则，也是对以字面方式判定侵权的一个补充。

等同原则最早出现在美国的判例中，并随时间的推移逐渐的为世界各国所接受。

从法理上说，等同原则的存在具有必要性，其主要是以专利权利要求的相关制度及理论为基础。

同时为了避免等同原则在适用中被不当的扩大，对其进行限制也是必要的，如禁止反悔原则等。

等同原则在我国的适用过程中也遇到了诸多问题，主要有当事人双方权益难以平衡、适用时的具体规则不统一以及不当扩大使用等。

针对这些问题，本文试着提出了相应的解决思路。

【关键词】： 专利侵权；等同原则；等同原则的适用 在当今社会中，随着科技的发展，完全仿制他人专利产品或者照搬他人专利方法的行为已不常见，常见的是行为人只要对权利要求中的某些技术特征加以简单的替换就可以达到侵权的目的。

这样一来，权利人的利益就受到了严重的损害。

等同原则就是为解决此问题而出现的。

自从1950年，美国最高法院在Graver Tank & Mig。 Co。V Linde Air Products Co。一案中确立了等同原则后，英国、德国、日本等世界上许多国家也都开始在此领域适用该原则。

我国也在2001年以司法解释的形式明确承认了等同原则。

一、 等同原则的概念 所谓等同原则，是指被控侵权物（产品或方法）中有一个或者一个以上技术特征经与专利独立权利要求保护的技术特征相比，从字面上看不相同，但经过分析可以认定两者实质上是相等同的技术特征，即是通过所属技术领域的普通技术人员公知的与其本质上是相同的方式或技术手段来替换专利独立权利要求中部分必要技术特征，使二者履行相同的功能并且取得实质上相同的结果。

在这种情况下，应当认定被控侵权物（产品或方法）落入了专利权的保护范围。

根据等同原则，即使被控侵权产品或方法没有落入权利要求字面含义的范围，但如果被控侵权物与专利发明中的技术特征之间的差别是非实质性的，被控侵权物仍可能被认为与发明是“相当的”，从而构成侵权。

在对专利的权利要求进行了解释，并且发现被控侵权物没有构成字面侵权后，才会适用等同原则。

因此，等同原则下的侵权是对字面侵权的补充。

按照等同原则认定专利侵权，对于专利权人来说，是将其专利的保护范围扩大到专利权利要求的字面含义之外。

对于公众来讲，权利要求书中应尽可能的明确专利的保护范围。

法院将被控侵权物与权利要求书中对发明的描述进行对比，如果认为被控侵权物与专利发明虽不完全一致，但与专利发明足够相似，也可以认为被控侵权物“占用”了发明，从而构成侵权。

二、等同原则存在的必要性及其法理依据 等同判断自从在美国被用于专利侵权的审理，经不断发展被确立为法官判案的标准，并逐渐发展成为等同理论，而且被世界上许多国家所认同，有一定的法理依据。

（一）等同原则存在的必要性 从理论上说，专利案件应当严格地按照权利要求的内容来判断侵权。

但各国的实践都表明，如果过分拘泥于权利要求的文字，则不能为专利权人提供有效的专利保护。

尽管申请人在撰写其权利要求以及专利审批的过程中，应当尽可能地争取获得具有较宽保护范围的权利要求，但是却不可能要求申请人预见到侵权者以后有可能采用的所有侵权方式。

专利局授予的专利权都需要予以公告，专利权人通过向公众公开发明创造来换取国家授予一定期限内的独占权，这是专利制度的根本机制。

这一机制使得授权的专利发明处在“明处”，而有意采用专利技术而又不愿意支付报酬的人处在“暗处”，他们往往借用专利发明的实质性内容，却处心积虑地对其中一些部分做出某种非实质性变动，使其实施行为的客体与权利要求的文字内容相比有所不同]。

在这样的情况下，如果仅仅因为存在一些细小不同，就认定不侵犯专利权，势必损害专利权人的合法利益，影响整个专利制度的作用。

因此，需要建立一种能够对权利要求的文字所表达的保护范围做出一定程度扩展的规则。

（二）等同原则的专利理论依据 专利制度经过几百年的发展，形成了以权利要求为核心的现代专利制度。

专利权利要求具有界定发明和向社会公示发明保护范围的双重作用，有利于实现专利法鼓励发明和促进科技应用和推广之目的。

对于专利法上述目的的实现，专利权利要求解释发挥着重要的作用。

专利权利要求解释是专利制度中的重要环节。

特别是在专利侵权诉讼过程中，如何解释权利要求往往成为当事人争议的焦点。

因此，如何确定我们的权利要求解释规则，不但涉及诉讼当事人的利益，而且涉及相关领域技术人员对专利保护范围的预见，从而影响到专利法目的的实现。

等同原则是用于扩展权利要求文字内容表达的保护范围的工具。

在适用等同原则时，可以参考说明书和附图的内容，但是又不必仅仅限于说明书和附图的内容，还可以参考所属领域中的技术人员对发明的理解、公知的技术常识、有关专家的证言等等。

因此，等同原则与“用说明书和附图解释权利要求”不是同一概念，其作用更为显著。

世上完全相同的东西总是很少，而相似的东西就很多。

正如同在专利审查过程中采用创造性来驳回专利申请的概率远大于采用新颖性来驳回专利申请的概率一样，在专利侵权判断中认定等同侵权的情况也明显多于认定相同侵权的情况，这表明等同原则在整个专利侵权诉讼中占有十分重要的地位。

三、等同原则适用的限制 由于等同原则的适用超出了权利要求的字面含义，有可能出现不适当的扩大了专利权人的权力范围，从而对公共利益造成不良影响。

所以，对等同原则的适用要有一定的限制性条件。

这主要包括如下一些原则及规则： （一） 禁止反悔原则 所谓禁止反悔原则是指，在专利审批、撤消或无效宣告程序中专利权人为确立其专利的新颖性和创造性通过书面声明或文件修改，对权利要求的保护范围作了限制或者部分的放弃了保护，并因此获得了专利权，那么在专利侵权程序中法院适用等同原则确定保护范围时，禁止将已经被限制排除或者已经放弃的内容重新纳入专利保护范围。



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